Магнитосопротивление двойной квантовой ямы в гетеросистеме HgTe/CdHgTe в параллельном магнитном поле
Аннотация
В работе представлены результаты измерений магнитосопротивления и теоретические расчеты энергетических спектров образца HgTe/CdHgTe. Измерения проводились на установке Oxford instruments в ЦКП «Испытательный центр нанотехнологий и перспективных материалов» в сильных магнитных полях до 13 Тл при низких температурах около 4.2 К. Образцы были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии в Институте Физики Полупроводников им. А.В. Ржанова г. Новосибирск, программа для расчета спектров была разработана в Институте Физики Микроструктур Нижегородская обл.
Исследования проводились на трех структурах с различной шириной двойных квантовых ям dw=4.5; 6.5; 8.5 нм. До этого похожие исследования проводились на структурах с нормальным спектром поэтому было бы интересно посмотреть на то, как поведет себя магнитосопротивление в параллельном слоям магнитном поле.
В ходе работы было выявлено, что максимумы и минимумы магнитосопротивления связаны с пересечением уровня Ферми с экстремумами спектров состояний HH1 и E1, в случае с шириной квантовых ям меньше критической, и с уходом легких дырок, в случае с шириной квантовых ям больше критической, в боковые максимумы с увеличением магнитного поля.
Исследования проводились на трех структурах с различной шириной двойных квантовых ям dw=4.5; 6.5; 8.5 нм. До этого похожие исследования проводились на структурах с нормальным спектром поэтому было бы интересно посмотреть на то, как поведет себя магнитосопротивление в параллельном слоям магнитном поле.
В ходе работы было выявлено, что максимумы и минимумы магнитосопротивления связаны с пересечением уровня Ферми с экстремумами спектров состояний HH1 и E1, в случае с шириной квантовых ям меньше критической, и с уходом легких дырок, в случае с шириной квантовых ям больше критической, в боковые максимумы с увеличением магнитного поля.