Гидрохимическое осаждение и исследование пленок CdSe
Аннотация
Объектом исследования являются тонкие полупроводниковые пленки CdSe, как легированные хлоридом меди (II), так нелегированные, синтезированные методом гидрохимического осаждения.
Перед осаждением пленок был выполнен расчет граничных условий образования основной фазы CdSe и примесной фазы Cd(OH)2 для цитратной и аммиачно-цитратной систем осаждения при заданных концентрациях компонентов. Химическим осаждением из водных сред на стеклянных подложках были получены образцы селенида кадмия. Полученные пленки были исследованы с помощью растровой электронной микроскопии и энергодисперсионного анализа, а также фотолюминесцентной спектроскопии. Была изучена морфология осажденных слоев, их элементный состав и размер кристаллитов. С помощью микроинтерферометра МИИ-4 Линника была измерена толщина полупроводниковых слоев CdSe. Методом термо-ЭДС был определен тип проводимости пленок селенида кадмия при легировании его медью
Перед осаждением пленок был выполнен расчет граничных условий образования основной фазы CdSe и примесной фазы Cd(OH)2 для цитратной и аммиачно-цитратной систем осаждения при заданных концентрациях компонентов. Химическим осаждением из водных сред на стеклянных подложках были получены образцы селенида кадмия. Полученные пленки были исследованы с помощью растровой электронной микроскопии и энергодисперсионного анализа, а также фотолюминесцентной спектроскопии. Была изучена морфология осажденных слоев, их элементный состав и размер кристаллитов. С помощью микроинтерферометра МИИ-4 Линника была измерена толщина полупроводниковых слоев CdSe. Методом термо-ЭДС был определен тип проводимости пленок селенида кадмия при легировании его медью