Люминесцентная спектроскопия стекол SiO2, имплантированного ионами Re
Аннотация
Объект исследования: диоксид кремния, имплантированный ионами
рения.
Цель работы – изучение температурных зависимостей
фотолюминесценции кислородно-дефицитных дефектов диоксида кремния, имплантированного ионами рения.
Методами спектроскопии оптического поглощения и люминесценции исследованы образцы стеклообразного SiO2, имплантированного ионами рения.
В результате исследований, были изучены параметры возбуждённых состояний кислородно-дефицитных центров, а также зависимости параметров ФЛ ODC дефектов от изменения температуры, предложена зонная схема электронных переходов.
Спектральные зависимости, представленные в работе, были получены на экспериментальном комплексе люминесцентной и абсорбционной спектроскопии MCPherson VuVAS 1000.
Композиционные функциональные материалы на основе диоксида кремния находят применение в растущих отраслях оптоэлектроники и фотоники и могут быть созданы с использованием технологии ионной имплантации. Перспективным и принципиально новым видом имплантатов для модификации электронно-оптических свойств SiO2 являются поливалентные ионы рения, позволяющие формировать широкое разнообразие оптических свойств материала.
рения.
Цель работы – изучение температурных зависимостей
фотолюминесценции кислородно-дефицитных дефектов диоксида кремния, имплантированного ионами рения.
Методами спектроскопии оптического поглощения и люминесценции исследованы образцы стеклообразного SiO2, имплантированного ионами рения.
В результате исследований, были изучены параметры возбуждённых состояний кислородно-дефицитных центров, а также зависимости параметров ФЛ ODC дефектов от изменения температуры, предложена зонная схема электронных переходов.
Спектральные зависимости, представленные в работе, были получены на экспериментальном комплексе люминесцентной и абсорбционной спектроскопии MCPherson VuVAS 1000.
Композиционные функциональные материалы на основе диоксида кремния находят применение в растущих отраслях оптоэлектроники и фотоники и могут быть созданы с использованием технологии ионной имплантации. Перспективным и принципиально новым видом имплантатов для модификации электронно-оптических свойств SiO2 являются поливалентные ионы рения, позволяющие формировать широкое разнообразие оптических свойств материала.