Исследование условий получения Ti–Si–C–N покрытий методом анодного испарения Ti и разложения кремнийорганического прекурсора в дуговом разряде
Аннотация
Выпускная квалификационная работа магистра 81 страница, 40 рисунков, 44 источника, 0 приложений.
МЕТОД РЕАКТИВНОГО АНОДНОГО ИСПАРЕНИЯ МЕТАЛЛА, СИЛЬНОТОЧНЫЙ ДУГОВОЙ РАЗРЯД, РАЗЛОЖЕНИЕ КРЕМНИЙОРГАНИЧЕСКОГО ПРЕКУРСОРА В ПЛАЗМЕ, КОМПОЗИТНЫЕ Ti–Si–C–N ПОКРЫТИЯ
Объект исследования: TiN и композитные Ti–Si–C–N покрытия, нанесённые на металлические и кварцевые образцы методом анодного испарения в плазме сильноточного дугового разряда (до 50 А).
Цель работы: Получение композитных Ti–Si–C–N покрытий методом реактивного анодного испарения в плазме сильноточного дугового разряда с самонакаливаемым полым катодом.
Область применения: Ti–Si–C–N покрытия находят своё применение в промышленности, машиностроении в качестве покрытий, защищающие детали конструкций от агрессивных сред, высоких температур (до 900 ºС).
Методы исследования: метод шарового, метод микроидентирования, рентгенофазовый анализ состояния покрытия (РФА), рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС), эмиссионная спектроскопия, сканирующая электронная микроскопия
Полученные результаты: Ti–Si–C–N покрытия с твёрдостью 30 – 40 ГПа на металлических образцах с высокой скоростью нанесения до 10 мкм/ч при температуре подложки 400 ºС.
Новизна: синтезирование в плазме дугового разряда композитного твёрдого Ti–Si–C–N покрытия методом реактивного анодного испарения в плазме сильноточного дугового разряда с самонакаливаемым полым катодом с высокими скоростями нанесения.
Работа относится к области физической электроники, связанной с вакуумно–плазменными технологии модификации материалов.
МЕТОД РЕАКТИВНОГО АНОДНОГО ИСПАРЕНИЯ МЕТАЛЛА, СИЛЬНОТОЧНЫЙ ДУГОВОЙ РАЗРЯД, РАЗЛОЖЕНИЕ КРЕМНИЙОРГАНИЧЕСКОГО ПРЕКУРСОРА В ПЛАЗМЕ, КОМПОЗИТНЫЕ Ti–Si–C–N ПОКРЫТИЯ
Объект исследования: TiN и композитные Ti–Si–C–N покрытия, нанесённые на металлические и кварцевые образцы методом анодного испарения в плазме сильноточного дугового разряда (до 50 А).
Цель работы: Получение композитных Ti–Si–C–N покрытий методом реактивного анодного испарения в плазме сильноточного дугового разряда с самонакаливаемым полым катодом.
Область применения: Ti–Si–C–N покрытия находят своё применение в промышленности, машиностроении в качестве покрытий, защищающие детали конструкций от агрессивных сред, высоких температур (до 900 ºС).
Методы исследования: метод шарового, метод микроидентирования, рентгенофазовый анализ состояния покрытия (РФА), рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС), эмиссионная спектроскопия, сканирующая электронная микроскопия
Полученные результаты: Ti–Si–C–N покрытия с твёрдостью 30 – 40 ГПа на металлических образцах с высокой скоростью нанесения до 10 мкм/ч при температуре подложки 400 ºС.
Новизна: синтезирование в плазме дугового разряда композитного твёрдого Ti–Si–C–N покрытия методом реактивного анодного испарения в плазме сильноточного дугового разряда с самонакаливаемым полым катодом с высокими скоростями нанесения.
Работа относится к области физической электроники, связанной с вакуумно–плазменными технологии модификации материалов.