РАЗРАБОТКА ИМПУЛЬСНОГО УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ НА GAN ОСНОВЕ ДЛЯ ПЕРЕДАЮЩЕГО МОДУЛЯ
Аннотация
Выпускная квалификационная работа: «Разработка импульсного
усилителя мощности на GaN основе для передающего модуля» содержит 93 страницы, 39 рисунков, 9 таблиц, 44 источника, 4 приложения.
Импульсный усилитель мощности, модулятор,
коэффициент усиления, AWR Microwave Office, «Proteus 8», GaN основа,
транзистор, СВЧ диапазон, выбор ЭРИ, расчёт элементов, коэффициент
передачи, полевой транзистор, биполярный транзистор.
Объектом разработки является импульсный усилитель мощности и его
моделирование в специализированной СВЧ САПР.
Целью работы является исследование и разработка импульсного
усилителя мощности на GaN структуре в C-диапазоне частот для передающего модуля, так же разработка модулятора для обеспечения импульсного режима работы усилителя в соответствии с ЧТЗ.
усилителя мощности на GaN основе для передающего модуля» содержит 93 страницы, 39 рисунков, 9 таблиц, 44 источника, 4 приложения.
Импульсный усилитель мощности, модулятор,
коэффициент усиления, AWR Microwave Office, «Proteus 8», GaN основа,
транзистор, СВЧ диапазон, выбор ЭРИ, расчёт элементов, коэффициент
передачи, полевой транзистор, биполярный транзистор.
Объектом разработки является импульсный усилитель мощности и его
моделирование в специализированной СВЧ САПР.
Целью работы является исследование и разработка импульсного
усилителя мощности на GaN структуре в C-диапазоне частот для передающего модуля, так же разработка модулятора для обеспечения импульсного режима работы усилителя в соответствии с ЧТЗ.