Магнитотранспортные свойства монокристаллов топологического изолятора Bi2Se3, облученных ионами аргона
Аннотация
Пояснительная записка содержит 78 страниц, 51 рисунок, 2 таблицы и 71 источник.
Ключевые слова: топологический изолятор, Bi2Se3, облучение ионами аргона, электросопротивление, магнитосопротивление, эффект Холла, осцилляции Шубникова-де Гааза, фаза Берри, поверхность Ферми.
В ходе работы были получены экспериментальные зависимости электросопротивления, магнитосопротивления и сопротивления Холла монокристаллов Bi2Se3 до и после облучения ионами аргона. Определены параметры электронной структуры и электронного транспорта из эффекта Холла и эффекта Шубникова-де Гааза. Было обнаружено, что облучение приводит к росту электросопротивления, уменьшению концентрации электронов и площади сечения поверхности Ферми. Анализ фазы Берри показал, что наблюдаемые осцилляции магнитосопротивления могут быть обусловлены как объемными, так и поверхностными носителями тока. Помимо этого, облучение может приводить к эффекту отрицательного и насыщающегося магнитосопротивления.
Ключевые слова: топологический изолятор, Bi2Se3, облучение ионами аргона, электросопротивление, магнитосопротивление, эффект Холла, осцилляции Шубникова-де Гааза, фаза Берри, поверхность Ферми.
В ходе работы были получены экспериментальные зависимости электросопротивления, магнитосопротивления и сопротивления Холла монокристаллов Bi2Se3 до и после облучения ионами аргона. Определены параметры электронной структуры и электронного транспорта из эффекта Холла и эффекта Шубникова-де Гааза. Было обнаружено, что облучение приводит к росту электросопротивления, уменьшению концентрации электронов и площади сечения поверхности Ферми. Анализ фазы Берри показал, что наблюдаемые осцилляции магнитосопротивления могут быть обусловлены как объемными, так и поверхностными носителями тока. Помимо этого, облучение может приводить к эффекту отрицательного и насыщающегося магнитосопротивления.