Локальное определение ориентации сегнетоэлектрических доменов методом дифракции обратно-отраженных электронов на основе модели динамического рассеяния электронов
Аннотация
Дипломная работа содержит 44 страницу, 18 рисунков, 3 таблицу, 7 формул, 21 библиографическое наименование.
Ключевые слова: СКАНИРУЮЩАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ, СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ, ДОМЕННАЯ СТРУКТУРА, ВЕКТОР СПОНТАННОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ, КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИЕ ОРИЕНТАЦИИ, ДИФРАКЦИЯ ОБРАТНО ОТРАЖЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ.
Цель работы: разработке научных основ технологии изучения доменных структур в сегнетоэлектрических кристаллах.
Методы проведения работы: теоретический анализ, наблюдение, формализация, эксперимент, компьютерное моделирование.
Результатом работы является: улучшение существующего способа определения кристаллографических ориентаций в сегнетоэлектрических материалах.
Областью применения полученных результатов является изучение доменных структур.
Ключевые слова: СКАНИРУЮЩАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ, СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ, ДОМЕННАЯ СТРУКТУРА, ВЕКТОР СПОНТАННОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ, КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИЕ ОРИЕНТАЦИИ, ДИФРАКЦИЯ ОБРАТНО ОТРАЖЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ.
Цель работы: разработке научных основ технологии изучения доменных структур в сегнетоэлектрических кристаллах.
Методы проведения работы: теоретический анализ, наблюдение, формализация, эксперимент, компьютерное моделирование.
Результатом работы является: улучшение существующего способа определения кристаллографических ориентаций в сегнетоэлектрических материалах.
Областью применения полученных результатов является изучение доменных структур.