ВЛИЯНИЕ ЗАПАЗДЫВАНИЯ ОБЪЕМНОГО ЭКРАНИРОВАНИЯ НА КИНЕТИКУ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В МОНОКРИСТАЛЛАХ KTiOPO4
Аннотация
Ранее в кристаллах ниобата лития и танталата лития было показано, что запаздывание объёмного экранирования деполяризующего поля приводит к существенному изменению кинетики доменной структуры и формированию самоорганизованных доменных структур. Вместе с тем, в кристаллах КТР работы по данной теме практически отсутствуют. В данной работе приводятся исследования по влиянию на кинетику доменной структуры в КТР запаздывания объемного экранирования, которое реализовывалось нанесением поверхностного диэлектрического слоя на полярную поверхность и переключением при повышенной температуре.
В результате было обнаружено формирование доменных стримеров субмикронной ширины перед движущейся стенкой при переключении поляризации с поверхностным диэлектрическим слоем на Z+ поверхности. Показано, что переключение с искусственным диэлектрическим слоем приводит к увеличению поля активации в полевой зависимости времени переключения с 34 кВ/мм до 41 кВ/мм
Выявлено, что при переключении поляризации с поверхностным диэлектрическим слоем на Z-поверхности полевая зависимость характерного времени β (2D) процесса имеет активационный характер с полем активации Eac = 16,0 кВ/мм. Получено, что в температурном диапазоне от -50˚С до 250˚С скорость [110]-ориентированных доменных стенок линейно возрастает с ростом поля. Показано, что подвижность [110]-ориентированных доменных стенок, подчиняется активационному закону с энергией активации (22 ± 3) эВ, а пороговое поле уменьшается на 20% при повышении температуры от комнатной до 250°C
В результате было обнаружено формирование доменных стримеров субмикронной ширины перед движущейся стенкой при переключении поляризации с поверхностным диэлектрическим слоем на Z+ поверхности. Показано, что переключение с искусственным диэлектрическим слоем приводит к увеличению поля активации в полевой зависимости времени переключения с 34 кВ/мм до 41 кВ/мм
Выявлено, что при переключении поляризации с поверхностным диэлектрическим слоем на Z-поверхности полевая зависимость характерного времени β (2D) процесса имеет активационный характер с полем активации Eac = 16,0 кВ/мм. Получено, что в температурном диапазоне от -50˚С до 250˚С скорость [110]-ориентированных доменных стенок линейно возрастает с ростом поля. Показано, что подвижность [110]-ориентированных доменных стенок, подчиняется активационному закону с энергией активации (22 ± 3) эВ, а пороговое поле уменьшается на 20% при повышении температуры от комнатной до 250°C