Электрохимический синтез тонких пленок кремния

Лаптев Михаил Вячеславович

Аннотация


Цель работы — электрохимический синтез тонких пленок кремния из галогенидных расплавов. В работе исследован процесс образования тонких сплошных осадков кремния из расплавов CsCl-CsI-K2SiF6 и KF-KCl-KI-K2SiF6. Методом гальваностатического электролиза удалось получить тонкие сплошные осадки кремния из расплава KF-KCl-KI (56 mol %) - K2SiF6 (0,2 мас. % по Si) при плотности тока 20 мА/см2 и времени осаждения 600 с. Также получены тонкие пленки кремния из расплава KF-KCl-KI (75 mol %)-K2SiF6 (0,2 мас. % по Si) при плотности тока 100 мА/см2 и времени осаждения 60 с. Методом сканирующей электронной микроскопии среза тонкой пленки и методом эллипсометрии удалось измерить толщину осадка, полученного из расплава KF-KCl-KI (75 mol %)-K2SiF6 (0,2 мас. % по Si).