Радиационно-индуцированные дефекты в кристаллах SrMgF4, облученных быстрыми электронами

Аннотация

Объектом исследования был выбран кристалл SrMgF4. Кристаллы SrMgF4 являются широкозонными и радиационно – устойчивыми. Данный кристалл можно применять в качестве нелинейно- оптического материала для преобразования когерентного излучения в УФ и ВУФ областях спектра поскольку он имеет широкий диапазон прозрачности, а также высокую оптическую устойчивость. Такой кристалл так же применяют в качестве вакуумных прозрачных окон и в качестве среды, в которую помещают редкоземельные элементы, которые работают в качестве излучателя.
Целью работы являлось: исследование дефектов в кристаллической структуре облученного и необлученного образца SrMgF4 под воздействием ионизирующего излучения при различных температурах (8 – 400 К) и энергиях фотовозбуждения.
В ходе работы были получены: спектры рентгенолюминесценции, фотолюмнесценции и возбуждения, поглощения, а также температурные зависимости интенсивности ФЛ и РЛ.