Механизмы резистивного переключения мемристоров на основе нанотубулярных массивов анодного диоксида циркония
Аннотация
Объектом исследования являются МДМ-структуры Zr/ZrO2-nt/Au.
Цель работы – изготовление и аттестация мемристоров с МДМ-структурой Zr/ZrO2-nt/Au, а также исследование их резистивного переключения в статическом и импульсном режимах работы.
Методы исследования: растровая электронная микроскопия, сканирующая конфокальная микроскопия, рентгенофазовый анализ, измерение вольт-амперных характеристик.
Синтезированы мемристорные сэндвич-структуры Zr/ZrO2-nt/Au диаметром 140 мкм на основе нанотубулярного слоя диоксида циркония толщиной 1.7 мкм и внутренним диаметром нанотрубок 55 нм. Проведена аттестация образцов методами сканирующей электронной и конфокальной микроскопии. Исследованы вольт-амперные характеристики полученных устройств в статическом и импульсном режимах резистивного переключения. Определены параметры резистивного переключения. Установлены механизмы проводимости, доминирующие в различных состояниях структуры. Продемонстрирована возможность формирования квантовых филаментов, состоящих из кислородных вакансий, в оксидном слое. Показана перспективность применения данных структур в качестве мемристорных элементов памяти
Цель работы – изготовление и аттестация мемристоров с МДМ-структурой Zr/ZrO2-nt/Au, а также исследование их резистивного переключения в статическом и импульсном режимах работы.
Методы исследования: растровая электронная микроскопия, сканирующая конфокальная микроскопия, рентгенофазовый анализ, измерение вольт-амперных характеристик.
Синтезированы мемристорные сэндвич-структуры Zr/ZrO2-nt/Au диаметром 140 мкм на основе нанотубулярного слоя диоксида циркония толщиной 1.7 мкм и внутренним диаметром нанотрубок 55 нм. Проведена аттестация образцов методами сканирующей электронной и конфокальной микроскопии. Исследованы вольт-амперные характеристики полученных устройств в статическом и импульсном режимах резистивного переключения. Определены параметры резистивного переключения. Установлены механизмы проводимости, доминирующие в различных состояниях структуры. Продемонстрирована возможность формирования квантовых филаментов, состоящих из кислородных вакансий, в оксидном слое. Показана перспективность применения данных структур в качестве мемристорных элементов памяти