Моделирование внедрения ионов цинка в структуру V2O5 в рамках теории функционала электронной плотности

Плотников Ярослав Максимович

Аннотация


Выпускная квалификационная работа бакалавра содержит 36 с., 15 рис., 9 табл., 27 источн.
ЦИНК-ИОННЫЕ АККУМУЛЯТОРЫ, V2O5, КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА, РЕЛАКСАЦИЯ, ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ БАРЬЕР
Объект ВКР - кристаллическая и электронная структуры V2O5.
Цель работы - теоретическое исследование эволюции кристаллической и электронной структур материала катода V2O5 при внедрении в него атомов цинка.
Методы исследования: теоретические расчеты на основе теории функционала электронной плотности.
Результатом работы стали найденная равновесная кристаллическая структура V2O5 с внедренными в межплоскостное расстояние атомами цинка, а также вычисленные энергетические барьеры миграции ионов цинка вдоль различных направлений кристаллической решетки.
Область применения полученных результатов - понимание микроскопических механизмов формирования свойств материалов катода способствует дальнейшему развитию цинк-ионных аккумуляторов, и как следствие - энергетической отрасли.
Значимость работы заключается в установлении механизмов формирования электронных, магнитных и электрохимических свойств исследуемого соединения.