Создание установки для исследования коэффициента отражения вольфрама с наноструктурированной поверхностью
Аннотация
Пояснительная записка к дипломному проекту 55 страниц, 25 рисунков, 41 библиографическая ссылка.
УПРАВЛЯЕМЫЙ ТЕРМОЯДЕРНЫЙ СИНТЕЗ, ТОКАМАК, НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЙ ВОЛЬФРАМ, ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА, ОТРАЖАТЕЛЬНАЯ СПОСОБНОСТЬ
Объект разработки: устройство для измерения зависимости отражательной способности от угла падения света
Цель работы: создание установки для исследования зависимости оптического коэффициента отражения от угла падения, длины волны падающего света и толщины наноструктурированного слоя для вольфрама с наноструктурированной поверхностью.
Методы исследования: сигнал с датчика интенсивности света регистрировался с помощью компьютерной программы.
Аппаратура: персональный компьютер, датчик интенсивности света, плата Arduino Nano на базе микроконтроллера ATMega328.
Полученные результаты: Создана установка для исследования зависимости коэффициента отражения от угла падения; образцы вольфрама с наноструктурированной поверхностью были испытаны и на основе экспериментов получены зависимости их отражательной способности от угла падения, длины волны света и толщины наноструктурного слоя.
Новизна: наноструктурный вольфрам является новым материалом, его зависимость отражательной способности от угла падения к данному моменту изучена недостаточно.
Область применения: полученные результаты, например, могут быть полезны для разработки системы внутрикамерных диагностических зеркал в термоядерных реакторах или для создания фотоэлектрических преобразователей в солнечных панелях.
УПРАВЛЯЕМЫЙ ТЕРМОЯДЕРНЫЙ СИНТЕЗ, ТОКАМАК, НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЙ ВОЛЬФРАМ, ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА, ОТРАЖАТЕЛЬНАЯ СПОСОБНОСТЬ
Объект разработки: устройство для измерения зависимости отражательной способности от угла падения света
Цель работы: создание установки для исследования зависимости оптического коэффициента отражения от угла падения, длины волны падающего света и толщины наноструктурированного слоя для вольфрама с наноструктурированной поверхностью.
Методы исследования: сигнал с датчика интенсивности света регистрировался с помощью компьютерной программы.
Аппаратура: персональный компьютер, датчик интенсивности света, плата Arduino Nano на базе микроконтроллера ATMega328.
Полученные результаты: Создана установка для исследования зависимости коэффициента отражения от угла падения; образцы вольфрама с наноструктурированной поверхностью были испытаны и на основе экспериментов получены зависимости их отражательной способности от угла падения, длины волны света и толщины наноструктурного слоя.
Новизна: наноструктурный вольфрам является новым материалом, его зависимость отражательной способности от угла падения к данному моменту изучена недостаточно.
Область применения: полученные результаты, например, могут быть полезны для разработки системы внутрикамерных диагностических зеркал в термоядерных реакторах или для создания фотоэлектрических преобразователей в солнечных панелях.