Стенд для исследования основных температурозависимых характеристик транзисторов и диодов
Аннотация
Целью данной работы является проектирование, изготовление и испытания стенда для исследования основных температурозависимых характеристик транзисторов и диодов.
В теоретической части рассмотрены некоторые способы электрического нагрева, способы измерения температуры, а также влияние температуры на основные характеристики полупроводниковых элементов.
В практической части работы предложена и разработана принципиальная схема, а также разработаны и изготовлены печатная плата и механические компоненты стенда для исследования основных температурозависимых характеристик транзисторов и диодов. После изготовления устройства произведено его подключение к источнику питания и управляющему стенду с микроконтроллером, после чего проведены тестовые испытания разработанного стенда с целью проверки его работоспособности и пригодности к использованию в дальнейшем.
В теоретической части рассмотрены некоторые способы электрического нагрева, способы измерения температуры, а также влияние температуры на основные характеристики полупроводниковых элементов.
В практической части работы предложена и разработана принципиальная схема, а также разработаны и изготовлены печатная плата и механические компоненты стенда для исследования основных температурозависимых характеристик транзисторов и диодов. После изготовления устройства произведено его подключение к источнику питания и управляющему стенду с микроконтроллером, после чего проведены тестовые испытания разработанного стенда с целью проверки его работоспособности и пригодности к использованию в дальнейшем.