Радиационные дефекты в монокристаллах сапфира, облученных быстрыми электронами
Аннотация
Объект исследования: анион-дефектный монокристалл сапфира (α-
Al2O3).
Цель работы – изучение влияния облучения быстрыми электронами c энергией 10 МэВ на радиационные и люминесцентные свойства монокристаллического сапфира.
Проведен обзор литературы на тему механизмов дефектообразования в твердом теле вследствие воздействия ионизирующих излучений, в частности, при облучении Al2O3 различными видами ионизирующих излучений в диапазоне энергий от единиц МэВ до сотен МэВ.
По результатам моделирования облучения α-Al2O3 быстрыми электронами с энергией 10 МэВ установлено, что средний пробег ионов в мишени составил 9,86·106 нм.
Экспериментальные результаты измерения оптической плотности показали, что облучение монокристаллов сапфира быстрыми электронами с энергией 10 МэВ приводит к активной генерации дефектов F-типа (F- и F+-центров). Методом импульсной катодолюминесценции было обнаружено, что концентрация примеси Cr3+ падает при увеличении дозы облучения.
Облучение приводит к возникновению в монокристаллах α-Al2O3 термостимулированной люминесценции в области температур 50 – 450 оС.
Кривые ТЛ, измеренные в спектральных диапазонах 400 – 420 нм имеют сложную форму. Была обнаружена немонотонная зависимость интенсивности свечения ТЛ от величины дозы. Разложение кривых термовысвечивания, измеренных в спектральных диапазонах 400 – 420 нм на компоненты выявило шесть элементарных пиков. Сделаны предположения о возможной природе каждой компоненты путем анализа литературных данных.
Al2O3).
Цель работы – изучение влияния облучения быстрыми электронами c энергией 10 МэВ на радиационные и люминесцентные свойства монокристаллического сапфира.
Проведен обзор литературы на тему механизмов дефектообразования в твердом теле вследствие воздействия ионизирующих излучений, в частности, при облучении Al2O3 различными видами ионизирующих излучений в диапазоне энергий от единиц МэВ до сотен МэВ.
По результатам моделирования облучения α-Al2O3 быстрыми электронами с энергией 10 МэВ установлено, что средний пробег ионов в мишени составил 9,86·106 нм.
Экспериментальные результаты измерения оптической плотности показали, что облучение монокристаллов сапфира быстрыми электронами с энергией 10 МэВ приводит к активной генерации дефектов F-типа (F- и F+-центров). Методом импульсной катодолюминесценции было обнаружено, что концентрация примеси Cr3+ падает при увеличении дозы облучения.
Облучение приводит к возникновению в монокристаллах α-Al2O3 термостимулированной люминесценции в области температур 50 – 450 оС.
Кривые ТЛ, измеренные в спектральных диапазонах 400 – 420 нм имеют сложную форму. Была обнаружена немонотонная зависимость интенсивности свечения ТЛ от величины дозы. Разложение кривых термовысвечивания, измеренных в спектральных диапазонах 400 – 420 нм на компоненты выявило шесть элементарных пиков. Сделаны предположения о возможной природе каждой компоненты путем анализа литературных данных.