Формирование доменной структуры в объеме сегнетоэлектриков ультракороткими лазерными импульсами
Аннотация
Исследование формирования доменной структуры в кристаллах семейства LN и LT в результате облучения импульсным лазерным излучением дальнего и ближнего ИК диапазона позволило сделать следующие основные выводы:
1. Показано, что геометрия полосовой ДС, формируемой в CLT в результате локального облучения микросекундным импульсом поглощаемого в поверхностном слое лазерного излучения, зависит от концентрации зародышей, образующихся под действием пироэлектрического поля.
2. Установлено, что облучение CLT с проводящим слоем на поверхности излучением дальнего ИК-диапазона приводит к формированию за пределами зоны облучения параллельных полосовых доменов, благодаря наличию во внешней области пироэлектрического поля достаточного лишь для удлинения доменов.
3. Показано, что в результате облучения фемтосекундным лазерным
излучением, сфокусированным в объеме сегнетоэлектрика, формируются, обволакивающие области структурных повреждений (микротреки) домены под действием деполяризующих полей, возникающих вблизи границ микротреков.
4. Установлено, что рост сформированных облучением обволакивающих доменов в результате термического отжига, обусловлен локальным превышением полярной компоненты пироэлектрического поля над порогом генерации ступеней на доменных стенках.
5. Показано, что изменение формы доменов при прорастании к поверхности от гексагональных пирамид к гексагональным призмам обусловлено встречным движением и аннигиляцией кинков с зарядом противоположного знака.
6. Установлено, что различные формы доменов, формирующихся в объеме исследованных кристаллов семейства LN и LT, определяются локальным превышением пироэлектрического поля над пороговыми значениями для генерации ступеней и движения кинков.
7. Впервые показано, что облучение фемтосекундным лазерным излучением позволяет создать в объеме MgOCLT домены с поперечным сечением в форме трехлучевых звезд.
8. Впервые показано, что линейное сканирование сфокусированным фемтосекундным лазерным пучком приводит к формированию в объеме одноосного сегнетоэлектрика доменов в форме двойных гребней.
1. Показано, что геометрия полосовой ДС, формируемой в CLT в результате локального облучения микросекундным импульсом поглощаемого в поверхностном слое лазерного излучения, зависит от концентрации зародышей, образующихся под действием пироэлектрического поля.
2. Установлено, что облучение CLT с проводящим слоем на поверхности излучением дальнего ИК-диапазона приводит к формированию за пределами зоны облучения параллельных полосовых доменов, благодаря наличию во внешней области пироэлектрического поля достаточного лишь для удлинения доменов.
3. Показано, что в результате облучения фемтосекундным лазерным
излучением, сфокусированным в объеме сегнетоэлектрика, формируются, обволакивающие области структурных повреждений (микротреки) домены под действием деполяризующих полей, возникающих вблизи границ микротреков.
4. Установлено, что рост сформированных облучением обволакивающих доменов в результате термического отжига, обусловлен локальным превышением полярной компоненты пироэлектрического поля над порогом генерации ступеней на доменных стенках.
5. Показано, что изменение формы доменов при прорастании к поверхности от гексагональных пирамид к гексагональным призмам обусловлено встречным движением и аннигиляцией кинков с зарядом противоположного знака.
6. Установлено, что различные формы доменов, формирующихся в объеме исследованных кристаллов семейства LN и LT, определяются локальным превышением пироэлектрического поля над пороговыми значениями для генерации ступеней и движения кинков.
7. Впервые показано, что облучение фемтосекундным лазерным излучением позволяет создать в объеме MgOCLT домены с поперечным сечением в форме трехлучевых звезд.
8. Впервые показано, что линейное сканирование сфокусированным фемтосекундным лазерным пучком приводит к формированию в объеме одноосного сегнетоэлектрика доменов в форме двойных гребней.