Оптически активные дефекты в кварцевых стеклах, имплантированных ионами рения и висмута

Аннотация

Научный доклад посвящен комплексному исследованию дефектной структуры, спектрально-люминесцентных и абсорбционных свойств полученных объектов с учетом особенностей дефектообразования. В стеклообразном SiO2, имплантированном Re и Bi, были определены значения энергии межзонных переходов и величины соответствующих энергетических щелей. Подтверждено, что межзонные переходы в имплантированной матрице SiO2, являются прямыми и разрешенными. Исследованы закономерности разупорядочения атомной структуры стеклообразного SiO2 при имплантации ионами Re и Bi, и его влияние на формирование оптических свойств имплантированных образцов. В образцах стеклообразного диоксида кремния, имплантированных ионами рения и висмута, были обнаружены новые модификации кислородно-дефицитных оптически активных центров. Исследованы закономерности изменения эффективного сечения процесса разупорядочения структуры стеклообразного SiO2 для в процессе имплантации ионами Re и Bi. Обнаружено, что адиабатические члены состояний S1 и T1 для ODC / Re смещены влево по координате конфигурации относительно таковых для Si-ODC. ФЛ Re-ODC характеризуется меньшим временем жизни по сравнению с ФЛ типичного Si-ODC из-за частичного снижения запрета триплет-синглетного перехода в результате мешающего влияния Re.
Основные результаты исследований опубликованы в 10 научных работах, входящих в список ВАК и Scopus.
Работа включает в себя актуальность темы исследования, цели и задачи, методологию и методы научного исследования общим объемом 30 страниц. В работе содержится 12 рисунков.
Ключевые слова: ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ, КВАРЦЕВОЕ СТЕКЛО, ODC - ЦЕНТРЫ, ЭНЕРГИЯ УРБАХА.