ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СОЕДИНЕНИЙ (GeSe)1-x(CuAsSe2)x
Аннотация
Кристаллические многокомпонентные полупроводники на основе халькогенидов металлов первой группы обладают уникальными физическими свойствами и перспективны с точки зрения фундаментальных и прикладных исследований.
Впервые проведены комплексные исследования электрофизических (электропроводность, энергии активации) и теплофизических свойств (коэффициент Зеебека, теплопроводность) кристаллических материалов (GeSe)1-x(CuAsSe2)x. Впервые рассчитана их термоэлектрическая добротность ZT. Выявлено влияние внешних температур (300-400 К) и концентрации (x=0.1÷0.9) на эти свойства.
Разработана методика измерения теплопроводности кристаллических полупроводниковых материалов малых размеров (менее 5 мм) в установке ИТ-λ-400.
Впервые проведены комплексные исследования электрофизических (электропроводность, энергии активации) и теплофизических свойств (коэффициент Зеебека, теплопроводность) кристаллических материалов (GeSe)1-x(CuAsSe2)x. Впервые рассчитана их термоэлектрическая добротность ZT. Выявлено влияние внешних температур (300-400 К) и концентрации (x=0.1÷0.9) на эти свойства.
Разработана методика измерения теплопроводности кристаллических полупроводниковых материалов малых размеров (менее 5 мм) в установке ИТ-λ-400.