Физические подходы к локальному управлению текстурой осей легкого намагничивания в магнитотвердых материалах Nd-Fe-B
Аннотация
ТЕКСТУРА, ПОСТОЯННЫЙ МАГНИТ, COMSOL, МОДЕЛИРОВАНИЕ, Nd-Fe-B, МАГНИТНЫЙ ГИСТЕРЕЗИС, ОСЬ ЛЕГКОГО НАМАГНИЧИВАНИЯ
Объектом исследования новый подход к формированию многокомпонентной магнитной текстуры в постоянных магнитах Nd-Fe-B.
Актуальность работы заключается в разработке качественного нового подхода к производству постоянных магнитов, необходимого для значительного увеличения эффективности электротехнических устройств.
Целью работы является разработка подхода к локальному управлению осью текстуры частиц порошка сплава Nd-Fe-B и его экспериментальная проверка.
В ходе работы проведены исследования магнитных гистерезисных свойств текстурованных образцов.
Получены следующие результаты:
1) применение подобного подхода формирует в образцах выраженную магнитную текстуру в слое порошка толщиной 2 мм сопоставимую с текстурой, формирующейся в постоянных магнитах при их текстуровании в импульсном магнитном поле более 40 кЭ;
2) поля рассеяния от самой системы снижали степень текстуры приблизительно на 10 %;
3) степень текстуры при текстуровании без влияния полей рассеяния – 0,7-0,79; с влиянием полей рассеяния 0,62-0,76.
Объектом исследования новый подход к формированию многокомпонентной магнитной текстуры в постоянных магнитах Nd-Fe-B.
Актуальность работы заключается в разработке качественного нового подхода к производству постоянных магнитов, необходимого для значительного увеличения эффективности электротехнических устройств.
Целью работы является разработка подхода к локальному управлению осью текстуры частиц порошка сплава Nd-Fe-B и его экспериментальная проверка.
В ходе работы проведены исследования магнитных гистерезисных свойств текстурованных образцов.
Получены следующие результаты:
1) применение подобного подхода формирует в образцах выраженную магнитную текстуру в слое порошка толщиной 2 мм сопоставимую с текстурой, формирующейся в постоянных магнитах при их текстуровании в импульсном магнитном поле более 40 кЭ;
2) поля рассеяния от самой системы снижали степень текстуры приблизительно на 10 %;
3) степень текстуры при текстуровании без влияния полей рассеяния – 0,7-0,79; с влиянием полей рассеяния 0,62-0,76.