Вклады квантовых интерференционных эффектов в проводимость гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs
Аннотация
Исследуемый объект ВКР --- полупроводниковая гетероструктура InGaAs/GaAs с двойной квантовой ямой.
В настоящей работе были проведены исследования квантовых интерференционных вкладов и расчет характерных параметров, определяющих поправки к проводимости.
В результате работы были получены параметры квантовых интерференционных вкладов, определенные путем выделения вкладов. Были получены параметры носителей заряда.
В настоящей работе были проведены исследования квантовых интерференционных вкладов и расчет характерных параметров, определяющих поправки к проводимости.
В результате работы были получены параметры квантовых интерференционных вкладов, определенные путем выделения вкладов. Были получены параметры носителей заряда.