Изучение формирования доменной структуры на неполярных срезах кристаллов LN, индуцированное облучением сфокусированным ионным пучком
Аннотация
Выпускная квалификационная работа бакалавра «Изучение формирования доменной структуры на неполярных срезах кристаллов ниобата лития, индуцированное облучением сфокусированным ионным пучком» посвящена разработке научных основ технологии создания регулярных доменных структур на неполярных срезах кристаллов ниобата лития под действием сфокусированного ионного пучка. Научные основы подобных технологий открывают путь к разработке широкого круга когерентных источников света, основанных на фазовом квазисинхронизме, что является большим шагом в производстве электрооптических и нелинейно-оптических приборов.
Первая часть работы посвящена обзору литературных источников об основных свойствах сегнетоэлектриков, сегнетоэлектрической доменной структуре, а также о методах её создания, исследования и применения.
Вторая часть содержит в себе описание исследуемых образцов, методик проведения эксперимента и используемых методов исследования доменной структуры.
В третьей части работы представлено описание результатов и их обсуждение. Сформулированы основные выводы.
Выполнение дипломной работы осуществлялось путём моделирования процессов, проведения экспериментов и визуализации полученных результатов с последующей обработкой изображений для получения статистических характеристик. В работе представлена методика бесконтактного прецизионного создания регулярных доменных структур при воздействии сфокусированного ионного пучка на неполярную поверхность сегнетоэлектрического кристалла. Исследование переключения поляризации на неполярном срезе одноосного сегнетоэлектрического кристалла представляет интерес в нескольких аспектах, таких как: изучение поперечной геометрии доменов, заряженных доменных стенок и их потенциальных применениях в устройствах электроники.
Полученные результаты позволяют расширить области применения методов контролируемого создания доменной структуры в сегнетоэлектрических монокристаллах для улучшения параметров материалов и изготовления нелинейно-оптических устройств с рекордными характеристиками.
Первая часть работы посвящена обзору литературных источников об основных свойствах сегнетоэлектриков, сегнетоэлектрической доменной структуре, а также о методах её создания, исследования и применения.
Вторая часть содержит в себе описание исследуемых образцов, методик проведения эксперимента и используемых методов исследования доменной структуры.
В третьей части работы представлено описание результатов и их обсуждение. Сформулированы основные выводы.
Выполнение дипломной работы осуществлялось путём моделирования процессов, проведения экспериментов и визуализации полученных результатов с последующей обработкой изображений для получения статистических характеристик. В работе представлена методика бесконтактного прецизионного создания регулярных доменных структур при воздействии сфокусированного ионного пучка на неполярную поверхность сегнетоэлектрического кристалла. Исследование переключения поляризации на неполярном срезе одноосного сегнетоэлектрического кристалла представляет интерес в нескольких аспектах, таких как: изучение поперечной геометрии доменов, заряженных доменных стенок и их потенциальных применениях в устройствах электроники.
Полученные результаты позволяют расширить области применения методов контролируемого создания доменной структуры в сегнетоэлектрических монокристаллах для улучшения параметров материалов и изготовления нелинейно-оптических устройств с рекордными характеристиками.