Исследование электрических свойств Cu4As2S5 при высоких давлениях
Аннотация
Исследованы электрические свойства Cu4As2S5 в диапазоне давлений 1–50 ГПа (электропроводность и термоЭДС).
Измерено электросопротивление вещества при высоком давлении (16–50 ГПа). Для измерений использовали камеру высокого давления с наковальнями типа «закругленный конус –плоскость», изготовленными из синтетических поликристаллических алмазов «карбонадо». По полученным температурным и барическим зависимостям было предположено, что в образце происходят обратимые изменения электрофизических характеристик. Полученные результаты свидетельствуют о возможности существования в Cu4As2S5 структурных переходов в диапазоне давлений 26 –28 и 38 –46ГПа.
Кроме того, было измерено термоЭДС при давлениях 1 –48 ГПа. Измерения показали, что при 32 и 44 ГПа происходит уменьшение коэффициента термоЭДС.
Изучение влияния высоких давлений до 50 ГПа на электрические характеристики Cu4As2S5выявило 2 области давлений (26–32 и 38–46 ГПа), где могут происходить обратимые структурные изменения. Также было выяснено, что во всем диапазоне давлений образец является электронным полупроводником
Измерено электросопротивление вещества при высоком давлении (16–50 ГПа). Для измерений использовали камеру высокого давления с наковальнями типа «закругленный конус –плоскость», изготовленными из синтетических поликристаллических алмазов «карбонадо». По полученным температурным и барическим зависимостям было предположено, что в образце происходят обратимые изменения электрофизических характеристик. Полученные результаты свидетельствуют о возможности существования в Cu4As2S5 структурных переходов в диапазоне давлений 26 –28 и 38 –46ГПа.
Кроме того, было измерено термоЭДС при давлениях 1 –48 ГПа. Измерения показали, что при 32 и 44 ГПа происходит уменьшение коэффициента термоЭДС.
Изучение влияния высоких давлений до 50 ГПа на электрические характеристики Cu4As2S5выявило 2 области давлений (26–32 и 38–46 ГПа), где могут происходить обратимые структурные изменения. Также было выяснено, что во всем диапазоне давлений образец является электронным полупроводником