Исследование процессов перемагничивания в наноструктурированных пленках на основе системы TbCo
Аннотация
В данной работе проведено исследование процессов перемагничивания тонких сплошных и наноструктурированных пленок Ta/Tb29Co71/Ta, полученных методом магнетронного распыления. Подложки с гексагональной решеткой наноразмерных дефектов были подготовлены путем двойного анодирования алюминия. Расстояние между порами составляло 105 нм, диаметр полученных пор равнялся75 нм. Измерение магнитооптических петель гистерезиса данных пленок было выполнено на Керр-микроскопе, вибрационном магнитометре и на магнитоизмерительном комплексе на основе SQUID-магнитометра. Доменная структура была исследована с помощью Керр-микроскопа и магнитно-силового микроскопа. Для описания полученных экспериментальных данных было проведено микромагнитное моделирование.
Показано наличие сильной перпендикулярной магнитной анизотропии для сплошных и наностуктурированных пленок Tb29Co71. Дефектная структура не повлияла на значение фактора качества Q, которое составило2,6как для сплошной, так и для перфорированной пленки.
Проанализированы процессы перемагничивания и характер доменной структуры для пленок на разных подложках. Для пленок, осажденных на пористые подложки, наблюдалось более чем трехкратное увеличение коэрцитивной силы по сравнению со сплошной пленкой, которое сопровождалось уменьшением среднего размера доменов в области коэр-цитивной силы. Слои Tb29Co71, осажденные на барьерный слой, имели коэрцитивную силу приблизительно равную таковой для сплошной пленки.
Указанное влияние структурирующих подложек является следствием специфической микромагнитной структуры и возникающих локальных полей рассеяния, а также наличия наноразмерных центров пиннинга доменных границ в случае перфорированных структур
Показано наличие сильной перпендикулярной магнитной анизотропии для сплошных и наностуктурированных пленок Tb29Co71. Дефектная структура не повлияла на значение фактора качества Q, которое составило2,6как для сплошной, так и для перфорированной пленки.
Проанализированы процессы перемагничивания и характер доменной структуры для пленок на разных подложках. Для пленок, осажденных на пористые подложки, наблюдалось более чем трехкратное увеличение коэрцитивной силы по сравнению со сплошной пленкой, которое сопровождалось уменьшением среднего размера доменов в области коэр-цитивной силы. Слои Tb29Co71, осажденные на барьерный слой, имели коэрцитивную силу приблизительно равную таковой для сплошной пленки.
Указанное влияние структурирующих подложек является следствием специфической микромагнитной структуры и возникающих локальных полей рассеяния, а также наличия наноразмерных центров пиннинга доменных границ в случае перфорированных структур