Исследование микроструктуры и особенностей строения сверхпрочных покрытий TiN, полученных высокоэнергетическим импульсным магнетронным распылением, методом рентгеновской дифракции
Аннотация
Целью данной работы является применение методов дифракции к изучению микроструктурных особенностей материалов на примере тонких покрытий TiN, полученных высокоэнергетическим импульсным магнетронным распылением.
Методом исследования особенностей кристаллического строения покрытий, (анализа состава, структуры и дефектности) является рентгеновская дифракция. Измерения проводились с помощью рентгеновского дифрактометра фирмы Shimadzu XRD-7000. Дальнейшая
обработка данных выполнялась методом полнопрофильного анализа Ритвельда с использованием программного обеспечения XPert High Score Plus. На том же программном обеспечение были исследованы дифрактограммы, расшифровка которых позволила определить положение
дифракционных линий, их интенсивность, форму и ширину.
В ходе эксперимента проводился анализ дифрактограмм шести различных образцов: DC5, DC10, DC15, DC20, DC25, DC30. Образцы промаркированы в соответствии с величиной тока пучка электронов, используемого в процессе синтеза этих покрытий (например DC5 - 5 А).
Образцы были получены в институте Электрофизики УрО РАН и представляют собой тонкие покрытия нитрида титана, нанесенные на стальные подложки.
В результате работы были рассчитаны параметры кристаллических решеток, исследована степень текстурированности, рассчитаны микронапряжения и определены размеры областей когерентного рассеяния
кристаллитов.
Методом исследования особенностей кристаллического строения покрытий, (анализа состава, структуры и дефектности) является рентгеновская дифракция. Измерения проводились с помощью рентгеновского дифрактометра фирмы Shimadzu XRD-7000. Дальнейшая
обработка данных выполнялась методом полнопрофильного анализа Ритвельда с использованием программного обеспечения XPert High Score Plus. На том же программном обеспечение были исследованы дифрактограммы, расшифровка которых позволила определить положение
дифракционных линий, их интенсивность, форму и ширину.
В ходе эксперимента проводился анализ дифрактограмм шести различных образцов: DC5, DC10, DC15, DC20, DC25, DC30. Образцы промаркированы в соответствии с величиной тока пучка электронов, используемого в процессе синтеза этих покрытий (например DC5 - 5 А).
Образцы были получены в институте Электрофизики УрО РАН и представляют собой тонкие покрытия нитрида титана, нанесенные на стальные подложки.
В результате работы были рассчитаны параметры кристаллических решеток, исследована степень текстурированности, рассчитаны микронапряжения и определены размеры областей когерентного рассеяния
кристаллитов.