Изменение электронной структуры и магнитных свойств в серии интерметаллических соединений GdFe1-x(V, Cr)xSi для x=0-1
Аннотация
В данной выпускной квалификационной работе содержится 13 рисунков, 23 формулы, 7 таблиц, 30 использованных источника.
В магистерской диссертации исследованы особенности электронной структуры и магнитных свойств тройных интерметаллический соединений на основе гадолиния с переходными металлами GdFe1-x(V,Cr)xSi. Для этого были изучены ранние работы, направленные на исследование структуры, спектральных, электронных и магнитных свойств интерметаллических соединений на основе гадолиния, их свойствам и применениям. Изучены основные теоретические методы расчета электронной структуры соединений. Расчеты электронной структуры GdTMSi, где TM это Fe, V или Cr, проведены методом DFT+U. Проведен анализ плотностей электронных состояний, зонной структуры и магнитных моментов ионов в GdFeSi, легированном V или Cr. Выявлено изменение магнитных свойств в зависимости от содержания V и Cr. Теоретические расчеты для системы GdFe1-x(V,Cr)xSi, х = 0-1, проведенные в данной работе, показали, что при изменении содержания переходных металлов в системе происходит изменение магнитных свойств в подрешетке переходных металлов. Легирование GdFeSi ионами V и Cr приводит к существенному увеличению величины плотности электронных состояний на уровне Ферми. Этот результат может говорить о изменении транспортных свойств в исследуемой системе GdFe1-x(V,Cr)xSi, что делает ее перспективной для использования во многих приложениях микроэлектроники.
В магистерской диссертации исследованы особенности электронной структуры и магнитных свойств тройных интерметаллический соединений на основе гадолиния с переходными металлами GdFe1-x(V,Cr)xSi. Для этого были изучены ранние работы, направленные на исследование структуры, спектральных, электронных и магнитных свойств интерметаллических соединений на основе гадолиния, их свойствам и применениям. Изучены основные теоретические методы расчета электронной структуры соединений. Расчеты электронной структуры GdTMSi, где TM это Fe, V или Cr, проведены методом DFT+U. Проведен анализ плотностей электронных состояний, зонной структуры и магнитных моментов ионов в GdFeSi, легированном V или Cr. Выявлено изменение магнитных свойств в зависимости от содержания V и Cr. Теоретические расчеты для системы GdFe1-x(V,Cr)xSi, х = 0-1, проведенные в данной работе, показали, что при изменении содержания переходных металлов в системе происходит изменение магнитных свойств в подрешетке переходных металлов. Легирование GdFeSi ионами V и Cr приводит к существенному увеличению величины плотности электронных состояний на уровне Ферми. Этот результат может говорить о изменении транспортных свойств в исследуемой системе GdFe1-x(V,Cr)xSi, что делает ее перспективной для использования во многих приложениях микроэлектроники.